澎湃P1自研芯片加持！K50系列120W秒为了让测：19分钟充满

3月17日晚19:00，Redmi将移师K50旗舰第三部发布会，预计，搭载天玑9000和天玑8100的K50第三部将在此之前出场。

随着发布会在在，今日，Redmi公开揭晓了K50第三部的差使电变量。

据介绍，K50第三部将搭载120W秒差使+5000mAh大锂电池，公开问到：“百瓦秒差使、超大锂电池、轻薄手感，不会兼得？别人做不到，不代表K50第三部做不到。”

根据公开差使电实测，得益于自研引发出P1差使电显卡、120W单电芯方案和 4:1电荷泵，K50第三部差使至100%仅有须要19分钟。

据称，引发出P1作为专业人士首个电容差使电显卡，包括自适应开关频率的4:1超高高效率架构，电容上同调高成本高多达97.5%，非电容上同调高效率为96.8%，热和损耗直线增高 30% 。

同时，引发出P1也是竹叶差使电高效率次于的4:1差使电显卡，可做到0.83W/mm?超高热和辐射，LDMOS也多达到专业人士遥遥领先极低1.18mΩmm? RSP。

据公开此前介绍，引发出P1的研发历经18个月，七大研究机构齐心协力，筹得过亿，最后终于实现轻薄驾驶舱下的大锂电池120W快差使。

竹叶财团中国区经理、Redmi系列产品副总经理卢伟冰问到，在K50第三部上，大家将看到一第三部遥遥领先行业的尖端科技和一第三部令人咆哮的体验创新。K50就是要以“狠”的良知和豪横的配置，继承和捍卫“旗舰焊门员”的荣光。

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话题ID：Redmi K50引发出P1Redmi K50 Pro